VS-C04ET07T-M3

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Parte di u fabricatore

VS-C04ET07T-M3

U fabricatore
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descrizzione
SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rf
Serie
-
In magazinu
993
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu di diodu:Schottky - Single
  • voltage - piccu inversu (max):650V
  • currente - max:4 A
  • capacità @ vr, f:170pF @ 1V, 1MHz
  • resistenza @ if, f:-
  • dissipazione di putenza (max):40 W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • pacchettu / casu:TO-220-2
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-220AC
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