AFT26P100-4WSR3

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Parte di u fabricatore

AFT26P100-4WSR3

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
RF N CHANNEL, MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
120
Datasheets in linea
AFT26P100-4WSR3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:LDMOS (Dual)
  • frequenza:2.69GHz
  • guadagnà:15.1dB
  • tensione - prova:28 V
  • valutazione attuale (ampere):-
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:200 mA
  • putenza - output:22W
  • voltage - valutatu:65 V
  • pacchettu / casu:NI-780S-4
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:NI-780S-4
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