CE3512K2

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Parte di u fabricatore

CE3512K2

U fabricatore
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizzione
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
858
Datasheets in linea
CE3512K2 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Strip
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:pHEMT FET
  • frequenza:12GHz
  • guadagnà:13.7dB
  • tensione - prova:2 V
  • valutazione attuale (ampere):15mA
  • figura di rumore:0.5dB
  • currente - prova:10 mA
  • putenza - output:125mW
  • voltage - valutatu:4 V
  • pacchettu / casu:4-Micro-X
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:4-Micro-X
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