A2G26H281-04SR3

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Parte di u fabricatore

A2G26H281-04SR3

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
A2G26H281-04SR3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:LDMOS
  • frequenza:2.496GHz ~ 2.69GHz
  • guadagnà:14.2dB
  • tensione - prova:48 V
  • valutazione attuale (ampere):-
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:150 mA
  • putenza - output:50W
  • voltage - valutatu:125 V
  • pacchettu / casu:NI-780S-4L
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:NI-780S-4L
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