MD7P19130HSR5

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Parte di u fabricatore

MD7P19130HSR5

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
MD7P19130HSR5 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:LDMOS (Dual)
  • frequenza:1.99GHz
  • guadagnà:20dB
  • tensione - prova:28 V
  • valutazione attuale (ampere):-
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:1.25 A
  • putenza - output:40W
  • voltage - valutatu:65 V
  • pacchettu / casu:NI-780S-4
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:NI-780S-4
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