A3T18H455W23SR6

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Parte di u fabricatore

A3T18H455W23SR6

U fabricatore
NXP Semiconductors
Descrizzione
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
A3T18H455W23SR6 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:LDMOS (Dual)
  • frequenza:1.805GHz ~ 1.88GHz
  • guadagnà:16.7dB
  • tensione - prova:30 V
  • valutazione attuale (ampere):10µA
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:600 mA
  • putenza - output:192W
  • voltage - valutatu:65 V
  • pacchettu / casu:ACP-1230S-4L2S
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:ACP-1230S-4L2S
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