MRF8P20165WHSR5

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Parte di u fabricatore

MRF8P20165WHSR5

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
39
Datasheets in linea
MRF8P20165WHSR5 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu di transistor:LDMOS (Dual)
  • frequenza:1.88GHz ~ 2.025GHz
  • guadagnà:14.8dB
  • tensione - prova:28 V
  • valutazione attuale (ampere):10µA
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:550 mA
  • putenza - output:37W
  • voltage - valutatu:65 V
  • pacchettu / casu:NI-780S-4
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:NI-780S-4
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