MMRF1006HR5

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Parte di u fabricatore

MMRF1006HR5

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
45
Datasheets in linea
MMRF1006HR5 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:LDMOS
  • frequenza:450MHz
  • guadagnà:20dB
  • tensione - prova:50 V
  • valutazione attuale (ampere):-
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:150 mA
  • putenza - output:1000W
  • voltage - valutatu:120 V
  • pacchettu / casu:SOT-979A
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:NI-1230-4H
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