BLF8G10LS-160,112

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Parte di u fabricatore

BLF8G10LS-160,112

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
4
Datasheets in linea
BLF8G10LS-160,112 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:LDMOS
  • frequenza:920MHz ~ 960MHz
  • guadagnà:19.7dB
  • tensione - prova:30 V
  • valutazione attuale (ampere):5µA
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:1.1 A
  • putenza - output:35W
  • voltage - valutatu:65 V
  • pacchettu / casu:SOT-502B
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT502B
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