BLF888AS,112

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Parte di u fabricatore

BLF888AS,112

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
RF PFET, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH F
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - rf
Serie
-
In magazinu
113
Datasheets in linea
BLF888AS,112 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:LDMOS (Dual), Common Source
  • frequenza:860MHz
  • guadagnà:21dB
  • tensione - prova:50 V
  • valutazione attuale (ampere):-
  • figura di rumore:-
  • currente - prova:1.3 A
  • putenza - output:250W
  • voltage - valutatu:110 V
  • pacchettu / casu:SOT539B
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT539B
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