MBR200150CTR

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Parte di u fabricatore

MBR200150CTR

U fabricatore
GeneSiC Semiconductor
Descrizzione
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rettificatori - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
MBR200150CTR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • cunfigurazione diodu:1 Pair Common Anode
  • tipu di diodu:Schottky
  • voltage - DC inversa (vr) (max):150 V
  • current - media rectificata (io) (per diode):100A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ if:880 mV @ 100 A
  • vitezza:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):-
  • currente - fuga inversa @ vr:3 mA @ 150 V
  • temperatura di funziunamentu - junction:-55°C ~ 150°C
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Twin Tower
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Twin Tower
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