CDBGBSC201200-G

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Parte di u fabricatore

CDBGBSC201200-G

U fabricatore
Comchip Technology
Descrizzione
DIODE DUAL SIC 20A 1200V TO-247
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rettificatori - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
CDBGBSC201200-G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • cunfigurazione diodu:1 Pair Common Cathode
  • tipu di diodu:Silicon Carbide Schottky
  • voltage - DC inversa (vr) (max):1200 V
  • current - media rectificata (io) (per diode):25.9A (DC)
  • tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.8 V @ 10 A
  • vitezza:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):0 ns
  • currente - fuga inversa @ vr:100 µA @ 1200 V
  • temperatura di funziunamentu - junction:-55°C ~ 175°C
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247
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