TRS16N65FB,S1Q

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Parte di u fabricatore

TRS16N65FB,S1Q

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rettificatori - arrays
Serie
-
In magazinu
240
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • cunfigurazione diodu:1 Pair Common Cathode
  • tipu di diodu:Silicon Carbide Schottky
  • voltage - DC inversa (vr) (max):650 V
  • current - media rectificata (io) (per diode):8A (DC)
  • tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.6 V @ 8 A
  • vitezza:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):0 ns
  • currente - fuga inversa @ vr:40 µA @ 650 V
  • temperatura di funziunamentu - junction:175°C
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247
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