GHXS100B120S-D3

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Parte di u fabricatore

GHXS100B120S-D3

U fabricatore
SemiQ
Descrizzione
SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 12
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - rettificatori - arrays
Serie
-
In magazinu
48
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • cunfigurazione diodu:2 Independent
  • tipu di diodu:Silicon Carbide Schottky
  • voltage - DC inversa (vr) (max):1200 V
  • current - media rectificata (io) (per diode):198A (DC)
  • tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.7 V @ 100 A
  • vitezza:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tempu di ricuperazione inversa (trr):0 ns
  • currente - fuga inversa @ vr:200 µA @ 1200 V
  • temperatura di funziunamentu - junction:-55°C ~ 175°C
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SOT-227-4, miniBLOC
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-227
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