2SK545-11D-TB-E

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Parte di u fabricatore

2SK545-11D-TB-E

U fabricatore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizzione
JFET N-CH 1MA 125MW CP
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - jfets
Serie
-
In magazinu
6537
Datasheets in linea
2SK545-11D-TB-E PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • voltage - breakdown (v(br)gss):-
  • drain à a tensione di fonte (vdss):40 V
  • current - drain (idss) @ vds (vgs=0):60 µA @ 10 V
  • purga di corrente (id) - max:1 mA
  • voltage - cutoff (vgs off) @ id:1.5 V @ 1 µA
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1.7pF @ 10V
  • resistenza - rds (on):-
  • putenza - max:125 mW
  • temperatura di funziunamentu:-
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:3-CP
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