UJ3N065080K3S

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Parte di u fabricatore

UJ3N065080K3S

U fabricatore
UnitedSiC
Descrizzione
650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - jfets
Serie
-
In magazinu
326
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N-Channel
  • voltage - breakdown (v(br)gss):650 V
  • drain à a tensione di fonte (vdss):650 V
  • current - drain (idss) @ vds (vgs=0):-
  • purga di corrente (id) - max:32 A
  • voltage - cutoff (vgs off) @ id:-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:630pF @ 100V
  • resistenza - rds (on):95 mOhms
  • putenza - max:190 W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:TO-247-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-247-3
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