SSM6N61NU,LF

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Parte di u fabricatore

SSM6N61NU,LF

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
SSM6N61NU,LF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4A
  • rds on (max) @ id, vgs:33mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:3.6nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:410pF @ 10V
  • putenza - max:2W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-WDFN Exposed Pad
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-UDFNB (2x2)
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