IRF7907TRPBF

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Parte di u fabricatore

IRF7907TRPBF

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
3833
Datasheets in linea
IRF7907TRPBF PDF
Inchiesta
  • serie:HEXFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9.1A, 11A
  • rds on (max) @ id, vgs:16.4mOhm @ 9.1A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:10nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:850pF @ 15V
  • putenza - max:2W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
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