NVMFD5485NLWFT1G

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Parte di u fabricatore

NVMFD5485NLWFT1G

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
1440
Datasheets in linea
NVMFD5485NLWFT1G PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.3A (Ta), 19.5A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:44mOhm @ 15A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:20nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:560pF @ 25V
  • putenza - max:2.9W (Ta), 38.5W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-PowerTDFN
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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