Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SIZ200DT-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET N-CH DUAL 30V

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - arrays

Serie: -

In magazinu: 765

Datasheets in linea: SIZ200DT-T1-GE3 PDF

SIZ200DT-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET® Gen IV
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:2 N-Channel (Dual)
funzione fet:Standard
drain à a tensione di fonte (vdss):30V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V

vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:28nC @ 10V, 30nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
putenza - max:4.3W (Ta), 33W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:8-PowerWDFN
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-PowerPair® (3.3x3.3)

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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