SSM6N15AFE,LM

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Parte di u fabricatore

SSM6N15AFE,LM

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
SSM6N15AFE,LM PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:100mA
  • rds on (max) @ id, vgs:4Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 100µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:13.5pF @ 3V
  • putenza - max:150mW
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:ES6 (1.6x1.6)
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