FD6M043N08

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Parte di u fabricatore

FD6M043N08

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
N-CHANNEL POWER MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
1404
Datasheets in linea
FD6M043N08 PDF
Inchiesta
  • serie:Power-SPM™
  • pacchettu:Tube
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):75V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:65A
  • rds on (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 40A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:148nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:6180pF @ 25V
  • putenza - max:-
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:EPM15
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:EPM15
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