FF6MR12KM1PHOSA1

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Parte di u fabricatore

FF6MR12KM1PHOSA1

U fabricatore
IR (Infineon Technologies)
Descrizzione
MEDIUM POWER 62MM
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:CoolSiC™
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • funzione fet:Silicon Carbide (SiC)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):1200V (1.2kV)
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:250A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:5.81mOhm @ 250A, 15V
  • vgs (th) (max) @ id:5.15V @ 80mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:496nC @ 15V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:14700pF @ 800V
  • putenza - max:-
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:AG-62MM
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