APTM10DSKM09T3G

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Parte di u fabricatore

APTM10DSKM09T3G

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
APTM10DSKM09T3G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):100V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:139A
  • rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 69.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 2.5mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:350nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:9875pF @ 25V
  • putenza - max:390W
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Chassis Mount
  • pacchettu / casu:SP3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SP3
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