EFC2J013NUZTDG

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Parte di u fabricatore

EFC2J013NUZTDG

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
3964
Datasheets in linea
EFC2J013NUZTDG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):-
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:-
  • rds on (max) @ id, vgs:-
  • vgs (th) (max) @ id:1.3V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:37nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • putenza - max:1.8W (Ta)
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-SMD, No Lead
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-WLCSP (2x1.49)
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