CSD75207W15

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Parte di u fabricatore

CSD75207W15

U fabricatore
Texas
Descrizzione
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
25200
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 P-Channel (Dual) Common Source
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):-
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:3.9A
  • rds on (max) @ id, vgs:162mOhm @ 1A, 1.8V
  • vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:3.7nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:595pF @ 10V
  • putenza - max:700mW
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:9-UFBGA, DSBGA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:9-DSBGA
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