Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SISF20DN-T1-GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - arrays

Serie: -

In magazinu: 24

Datasheets in linea: -

SISF20DN-T1-GE3 Avvisu

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serie:TrenchFET® Gen IV
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:2 N-Channel (Dual)
funzione fet:Standard
drain à a tensione di fonte (vdss):60V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:14A (Ta), 52A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:13mOhm @ 7A, 10V

vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:33nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:1290pF @ 30V
putenza - max:5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:PowerPAK® 1212-8SCD
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® 1212-8SCD

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