US6M11TR

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Parte di u fabricatore

US6M11TR

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
10334
Datasheets in linea
US6M11TR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V, 12V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.5A, 1.3A
  • rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:1.8nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:110pF @ 10V
  • putenza - max:1W
  • temperatura di funziunamentu:150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-SMD, Flat Leads
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TUMT6
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