EPC2101

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Parte di u fabricatore

EPC2101

U fabricatore
EPC
Descrizzione
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
714
Datasheets in linea
EPC2101 PDF
Inchiesta
  • serie:eGaN®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • funzione fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:9.5A, 38A
  • rds on (max) @ id, vgs:11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
  • putenza - max:-
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:Die
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Die
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