SQJ560EP-T1_GE3

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Parte di u fabricatore

SQJ560EP-T1_GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
267080
Datasheets in linea
SQJ560EP-T1_GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:30A (Tc), 18A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:30nC @ 10V, 45nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1650pF @ 25V
  • putenza - max:34W (Tc)
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:PowerPAK® SO-8 Dual
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SO-8 Dual
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