BSO330N02KG

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Parte di u fabricatore

BSO330N02KG

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
N-CHANNEL POWER MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
1000000
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5.4A
  • rds on (max) @ id, vgs:30mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 20µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:4.9nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:730pF @ 10V
  • putenza - max:1.4W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PG-DSO-8
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