SI4946BEY-T1-GE3

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Parte di u fabricatore

SI4946BEY-T1-GE3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
20000
Datasheets in linea
SI4946BEY-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchFET®
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:6.5A
  • rds on (max) @ id, vgs:41mOhm @ 5.3A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:25nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:840pF @ 30V
  • putenza - max:3.7W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SO
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