Name: BSM180D12P2E002
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: BSM180D12P2E002
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: BSM180D12P2E002

U fabricatore: ROHM Semiconductor

Descrizzione: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - arrays

Serie: -

In magazinu: 8

Datasheets in linea: -

BSM180D12P2E002 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Bulk
statutu di parte:Active
tipu fet:2 N-Channel (Half Bridge)
funzione fet:Silicon Carbide (SiC)
drain à a tensione di fonte (vdss):1200V (1.2kV)
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:204A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:-

vgs (th) (max) @ id:4V @ 35.2mA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:-
capacità di input (ciss) (max) @ vds:18000pF @ 10V
putenza - max:1360W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipu di muntatura:Chassis Mount
pacchettu / casu:Module
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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