CSD88537ND

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Parte di u fabricatore

CSD88537ND

U fabricatore
Texas
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
40000
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):60V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:15A
  • rds on (max) @ id, vgs:15mOhm @ 8A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:3.6V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:18nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1400pF @ 30V
  • putenza - max:2.1W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOIC
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