DN2625DK6-G

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Parte di u fabricatore

DN2625DK6-G

U fabricatore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
1206818
Datasheets in linea
DN2625DK6-G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tray
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Depletion Mode
  • drain à a tensione di fonte (vdss):250V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:1.1A
  • rds on (max) @ id, vgs:3.5Ohm @ 1A, 0V
  • vgs (th) (max) @ id:-
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:7.04nC @ 1.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:1000pF @ 25V
  • putenza - max:-
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-VDFN Exposed Pad
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-DFN (5x5)
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