TPD3215M

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Parte di u fabricatore

TPD3215M

U fabricatore
Transphorm
Descrizzione
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
22
Datasheets in linea
TPD3215M PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • funzione fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • drain à a tensione di fonte (vdss):600V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:70A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:34mOhm @ 30A, 8V
  • vgs (th) (max) @ id:-
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:28nC @ 8V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:2260pF @ 100V
  • putenza - max:470W
  • temperatura di funziunamentu:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Through Hole
  • pacchettu / casu:Module
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:Module
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