NDS9959

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Parte di u fabricatore

NDS9959

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
N-CHANNEL POWER MOSFET
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
5000
Datasheets in linea
NDS9959 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Obsolete
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Standard
  • drain à a tensione di fonte (vdss):50V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:2A
  • rds on (max) @ id, vgs:300mOhm @ 1.5A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:15nC @ 10V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:250pF @ 25V
  • putenza - max:900mW
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:8-SOIC
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