SI7212DN-T1-E3

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Parte di u fabricatore

SI7212DN-T1-E3

U fabricatore
Vishay / Siliconix
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
320000
Datasheets in linea
SI7212DN-T1-E3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):30V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:4.9A
  • rds on (max) @ id, vgs:36mOhm @ 6.8A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:1.6V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:11nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:-
  • putenza - max:1.3W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:PowerPAK® 1212-8 Dual
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® 1212-8 Dual
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