PMDT290UCE,115

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Parte di u fabricatore

PMDT290UCE,115

U fabricatore
Nexperia
Descrizzione
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
23600
Datasheets in linea
PMDT290UCE,115 PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:N and P-Channel
  • funzione fet:Logic Level Gate
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:800mA, 550mA
  • rds on (max) @ id, vgs:380mOhm @ 500mA, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:950mV @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:0.68nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:83pF @ 10V
  • putenza - max:500mW
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-666
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