Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: SQJ262EP-T1_GE3

U fabricatore: Vishay / Siliconix

Descrizzione: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - arrays

Serie: -

In magazinu: 5990

Datasheets in linea: SQJ262EP-T1_GE3 PDF

SQJ262EP-T1_GE3 Avvisu

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serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu fet:2 N-Channel (Dual)
funzione fet:Standard
drain à a tensione di fonte (vdss):60V
current - drain continuu (id) @ 25 ° c:15A (Tc), 40A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V

vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
carica di porta (qg) (max) @ vgs:10nC @ 10V, 23nC @ 10V
capacità di input (ciss) (max) @ vds:550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
putenza - max:27W (Tc), 48W (Tc)
temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:PowerPAK® SO-8 Dual
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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FDC6561AN Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6	In magazinu: 159000 In ordine: 159000	$1.80000
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DMN6066SSD-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO	In magazinu: 41892 In ordine: 41892	$0.99000