CSD85301Q2

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Parte di u fabricatore

CSD85301Q2

U fabricatore
Texas
Descrizzione
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - fets, mosfets - arrays
Serie
-
In magazinu
36750
Datasheets in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu fet:2 N-Channel (Dual)
  • funzione fet:Logic Level Gate, 5V Drive
  • drain à a tensione di fonte (vdss):20V
  • current - drain continuu (id) @ 25 ° c:5A
  • rds on (max) @ id, vgs:27mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
  • carica di porta (qg) (max) @ vgs:5.4nC @ 4.5V
  • capacità di input (ciss) (max) @ vds:469pF @ 10V
  • putenza - max:2.3W
  • temperatura di funziunamentu:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-WDFN Exposed Pad
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:6-WSON (2x2)
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