PDTB113ZQAZ

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Parte di u fabricatore

PDTB113ZQAZ

U fabricatore
Nexperia
Descrizzione
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
PDTB113ZQAZ PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:PNP - Pre-Biased
  • current - collector (ic) (max):500 mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50 V
  • resistenza - basa (r1):1 kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):10 kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 50mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:100mV @ 2.5mA, 50mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA
  • freccia - transizione:150 MHz
  • putenza - max:325 mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:3-XDFN Exposed Pad
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DFN1010D-3
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