FJV3115RMTF

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Parte di u fabricatore

FJV3115RMTF

U fabricatore
Rochester Electronics
Descrizzione
0.1A, 50V, NPN
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Serie
-
In magazinu
15669
Datasheets in linea
FJV3115RMTF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Bulk
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN - Pre-Biased
  • current - collector (ic) (max):100 mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50 V
  • resistenza - basa (r1):2.2 kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):10 kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:33 @ 10mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):100nA (ICBO)
  • freccia - transizione:250 MHz
  • putenza - max:200 mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
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