Name: RN2105MFV,L3F(CT
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: RN2105MFV,L3F(CT
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: RN2105MFV,L3F(CT

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased

Serie: -

In magazinu: 7600

Datasheets in linea: -

RN2105MFV,L3F(CT Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu di transistor:PNP - Pre-Biased
current - collector (ic) (max):100 mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50 V
resistenza - basa (r1):2.2 kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):47 kOhms

guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
saturazione vce (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA
freccia - transizione:250 MHz
putenza - max:150 mW
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:SOT-723
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:VESM

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Part Number	Descrizzione	magazzini	Prezzu Unitu
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