PDTD123YT,215

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Parte di u fabricatore

PDTD123YT,215

U fabricatore
Nexperia
Descrizzione
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Serie
-
In magazinu
19224
Datasheets in linea
PDTD123YT,215 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN - Pre-Biased
  • current - collector (ic) (max):500 mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50 V
  • resistenza - basa (r1):2.2 kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):10 kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 50mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA
  • freccia - transizione:-
  • putenza - max:250 mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:TO-236AB
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