DTDG23YPT100

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Parte di u fabricatore

DTDG23YPT100

U fabricatore
ROHM Semiconductor
Descrizzione
TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Serie
-
In magazinu
300000
Datasheets in linea
DTDG23YPT100 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN - Pre-Biased
  • current - collector (ic) (max):1 A
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):60 V
  • resistenza - basa (r1):2.2 kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):22 kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:300 @ 500mA, 2V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:400mV @ 5mA, 500mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):500nA
  • freccia - transizione:80 MHz
  • putenza - max:1.5 W
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:TO-243AA
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:MPT3
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