PDTC115EM,315

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Parte di u fabricatore

PDTC115EM,315

U fabricatore
Nexperia
Descrizzione
TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolari (bjt) - unicu, pre-biased
Serie
-
In magazinu
0
Datasheets in linea
PDTC115EM,315 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:NPN - Pre-Biased
  • current - collector (ic) (max):20 mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50 V
  • resistenza - basa (r1):100 kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):100 kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:150mV @ 250µA, 5mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1µA
  • freccia - transizione:-
  • putenza - max:250 mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SC-101, SOT-883
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DFN1006-3
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