Name: RN1964FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: RN1964FE(TE85L,F)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: RN1964FE(TE85L,F)

U fabricatore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizzione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased

Serie: -

In magazinu: 3970

Datasheets in linea: RN1964FE(TE85L,F) PDF

RN1964FE(TE85L,F) Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Obsolete
tipu di transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
current - collector (ic) (max):100mA
tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50V
resistenza - basa (r1):47kOhms
resistenza - basa di emettitore (r2):47kOhms

guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
saturazione vce (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
corrente - cutoff di u cullettore (max):100nA (ICBO)
freccia - transizione:250MHz
putenza - max:100mW
tipu di muntatura:Surface Mount
pacchettu / casu:SOT-563, SOT-666
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:ES6

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