RN1607(TE85L,F)

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Parte di u fabricatore

RN1607(TE85L,F)

U fabricatore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizzione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
Serie
-
In magazinu
4804
Datasheets in linea
RN1607(TE85L,F) PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50V
  • resistenza - basa (r1):10kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):47kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):100nA (ICBO)
  • freccia - transizione:250MHz
  • putenza - max:300mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:SC-74, SOT-457
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:SM6
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