PRMD12Z

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Parte di u fabricatore

PRMD12Z

U fabricatore
Nexperia
Descrizzione
PRMD12/SOT1268/DFN1412-6
categuria
prudutti semiconduttori discreti
Famiglia
transistors - bipolari (bjt) - arrays, pre-biased
Serie
-
In magazinu
5000
Datasheets in linea
PRMD12Z PDF
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • statutu di parte:Active
  • tipu di transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • current - collector (ic) (max):100mA
  • tensione - avaria di l'emettitore di u cullettore (max):50V
  • resistenza - basa (r1):47kOhms
  • resistenza - basa di emettitore (r2):47kOhms
  • guadagnu di corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 5V
  • saturazione vce (max) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 10mA
  • corrente - cutoff di u cullettore (max):1µA
  • freccia - transizione:230MHz
  • putenza - max:480mW
  • tipu di muntatura:Surface Mount
  • pacchettu / casu:6-XFDFN Exposed Pad
  • pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:DFN1412-6
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